本發明涉及一種基于鋰摻雜透明氧化物的突觸型薄膜晶體管的制備方法,其包括:S1、提供襯底,對襯底進行清洗和親水處理;S2、利用水溶液法,在襯底的一表面制備鋰摻雜透明氧化物絕緣層;S3、對鋰摻雜透明氧化物絕緣層親水處理;S4、利用水溶液法,在鋰摻雜透明氧化物絕緣層上制備氧化物半導體層;S5、利用熱蒸發工藝,在氧化物半導體層上制備源電極和漏電極;S6、利用熱蒸發工藝,在襯底遠離鋰摻雜透明氧化物絕緣層的一側制備柵電極,該制備方法環保,低溫,可大面積制備,制備中較低的溫度使得制作流程簡單高效,可大幅減少制備時長,制備成本較低且使得絕緣層具有空位缺陷,同時,絕緣層中摻雜了鋰離子,使得器件具有很好的突觸器件特性。
聲明:
“基于鋰摻雜透明氧化物的突觸型薄膜晶體管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)