本申請公開一種含鋰晶體材料及其制備方法和應用,屬于二階非線性光學材料及制備技術領域。所述含鋰晶體材料具有化學式AxBayLiz(Ga4S7)n;其中A選自K、Rb和Cs中的至少一種,x+2y+z=2n,n為2~7的整數。所述方法包括:將含有鋇元素、鎵元素、硫元素、鋰元素和AX的原料在真空條件下置于反應溫度下反應,冷卻;其中AX中的X選自F、Cl、Br和I中的一種。本申請的含鋰晶體材料具有改善的紅外非線性光學性能,可應用于激光器中。本申請的方法工藝步驟簡單,所得晶體材料的純度高、結晶度好且收率高,適合大規模工業化生產。
聲明:
“含鋰晶體材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)