本發明屬于晶體加工技術領域的一種鈮酸鋰晶體的新型單疇化工藝,包括在硅碳棒退火爐中放置直徑及高度均大于鈮酸鋰晶棒30mm的99氧化爐坩堝,將鈮酸鋰晶棒放置在99氧化鋁坩堝中部,在鈮酸鋰晶棒上、下端均覆蓋8~11mm厚多晶料塊體層,在上下多晶料塊體層上覆蓋極性相反的第一電極片和第二電極片,使硅碳棒退火爐的爐溫升至1150~1200℃并保溫12個小時,保溫過程中以鈮酸鋰晶棒的光軸方向按2mA/cm2施加電流;開始降溫并停止施加電流,使硅碳棒退火爐的爐溫降至室溫。本發明工藝簡單,生產成本低,可使鈮酸鋰晶體的單疇化完成度由60%提高至100%;同時避免了金屬離子的侵入和晶體共融問題,晶體光電特性較好。
聲明:
“鈮酸鋰晶體的新型單疇化工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)