一種磁控濺射制備納米硅薄膜鈦酸鋰負極的方法,其特征由以下步驟組成:采用PECVD超高真空多功能磁控濺射鍍膜設備;磁控濺射工作室內安裝硅靶,與靶材相向的工作臺平鋪鈦酸鋰負極材料,濺射氣體為純度99.999%的Ar氣,將濺射腔室的本底真空抽至6.6X10-5Pa,打開通氣閥通入Ar氣,Ar氣流量為20sccm,調節濺射壓強為6.8pa~7.2pa,濺射2nm~7nm硅薄膜與鈦酸鋰負極材料表面附著,制成納米硅薄膜鈦酸鋰負極材料。通過鈦酸鋰負極材料表面與濺射硅薄膜附著制成納米硅薄膜鈦酸鋰負極材料能提高鈦酸鋰負極材料比容量。
聲明:
“磁控濺射制備納米硅薄膜鈦酸鋰負極的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)