本發明的課題是提供一種溫度、時間等相關的處理條件的管理容易而且體積電阻值的面內分布極少的鈮酸鋰(LN)基板及其制造方法。本發明的解決方案是使用通過切克勞斯基法培養成的LN單晶制造LN基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度超過1000質量ppm且在2000質量ppm以下并且被加工成基板狀態的LN單晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中,在450℃以上且小于550℃的溫度條件下進行熱處理,由此來制造體積電阻率被控制在超過1×1010Ω·cm且在2×1012Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
聲明:
“鈮酸鋰單晶基板及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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