本發明提供鉭酸鋰單晶基板的制造方法,其即便在鉭酸鋰單晶基板的熱處理中反復使用碳酸鋰粉末,也能夠抑制由鉭酸鋰單晶基板的還原不足導致的體積電阻率的增加。本發明是體積電阻率為1×1010Ω?cm以上且小于1×1012Ω?cm的鉭酸鋰單晶基板的制造方法,其包括:將體積電阻率為1×1012Ω?cm以上且單晶域結構的鉭酸鋰單晶基板填埋至BET比表面積為0.13m2/g以上的碳酸鋰粉末中,并且,在常壓下、350℃以上且居里溫度以下的溫度下進行熱處理的工序,碳酸鋰粉末是在常壓下、350℃以上且居里溫度以下的溫度下的鉭酸鋰單晶基板的熱處理時用于填埋鉭酸鋰單晶基板的使用過的碳酸鋰粉末,進行熱處理的工序中,開始熱處理時,在非活性氣體與還原性氣體的混合氣體氣氛中進行熱處理,在混合氣體氣氛中進行熱處理后,在非活性氣體的單一氣體氣氛中進行熱處理。
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“鉭酸鋰單晶基板的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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