本發明公開了一種硅基鈮酸鋰高速光調制器及其制備方法,調制器包括:硅基底晶片、二氧化硅下包層、鈮酸鋰薄膜、光學波導、金屬電極、硅V形槽、耦合光纖,二氧化硅下包層位于硅基底晶片的上表面;鈮酸鋰薄膜位于二氧化硅下包層之上。本發明的有益效果為:(1)實現了鈮酸鋰單晶晶體與硅單晶晶體的異質集成;(2)鈮酸鋰晶片的薄膜化,以及二氧化硅下包層的低介電常數、低介電損耗等特性,可實現鈮酸鋰光調制器的調制速率(或調制帶寬)的提升;(3)鈮酸鋰晶片的薄膜化,以及二氧化硅下包層的高絕緣性,可實現分布于鈮酸鋰薄膜中的微波電磁場強度的增加,提高電場對光場的調制效率,降低器件的驅動電壓。
聲明:
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