本發明的目的在于針對現有技術的不足,提出一種大規模的硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列的集成方法。利用該方法減少了鈮酸鋰晶體層的制備工藝難度,降低了鈮酸鋰與硅粘接的精度要求,并且可以一次性同時完成大規模陣列式鈮酸鋰晶體層的制備和粘接,大幅提升了硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列的生產效率;通過對硅晶體層進行結構上的設計和優化,使得光可以在硅波導和鈮酸鋰波導中自然交替和互傳,實現了高性能的鈮酸鋰薄膜電光調制效應。此外,該方法利用了標準化的硅基集成技術成熟度優勢,將復雜的芯片制備工藝集中在硅晶體層,從而減小芯片制作過程中的工藝誤差,保證了整個硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列的性能穩定性。
聲明:
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