本發明公開了一種8?羥基喹啉硼化鋰修飾的聚合物傳感器陣列的構建方法及應用,該方法包括以下步驟:步驟1、LiBMQ?g?SVBTC?PPV傳感基元構筑;步驟2、毒品光電傳感陣列構筑與性能評估;步驟3、數據分析與處理。本發明為進一步提高氣氛毒品光電傳感材料的靈敏度,實現對常見毒品信號差異性放大,采用光電傳感檢測方法,結合表面修飾技術、傳感器陣列構建及主成分分析技術,制備并構建可定性識別常見毒品光電傳感器陣列。
聲明:
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