一種提高鋁酸鋰和鎵酸鋰晶片表層晶格完整性 的方法,包括如下步驟:在鉑金坩堝內,放置有帶氣孔的LiAlO2或LiGaO2和Li2O混合料塊;將雙面拋光或單面拋光的γ-LiAlO2或LiGaO2晶片置于或懸于鉑金絲上,加上覆蓋有LiAlO2或LiGaO2和Li2O混合粉料和熱電偶的坩堝蓋,坩堝頂部加鉑金蓋密閉,置于電阻爐中;該電阻爐加熱升溫至800~1200℃,恒溫50~100小時,Li2O擴散到γ-LiAlO2和LiGaO2晶片中,修復因Li的非化學劑量比揮發所導致的基片表層缺陷,緩慢降溫,從而提高了γ-LiAlO2和LiGaO2晶片表層的晶格完整性。由于僅襯底表層的質量對其上的外延膜有直接影響,本發明克服了高質量γ-LiAlO2和LiGaO2單晶襯底難以解決的問題,可用于生長高質量InN-GaN外延膜。
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