一種鋁酸鋰和鎵酸鋰晶體的生長方法,其特點是 采用碳酸鋰(Li2CO3)和氧化鋁(Al2O3)或氧化鎵(Ga2O3)為原料,按照一定比例配料,壓制成塊,直接裝入坩堝,坩堝密封后置于鐘罩式真空電阻爐內,用垂直溫梯法生長晶體。原料中采用碳酸鋰(Li2CO3),使得密封坩堝內是含CO2和O2的局部氧化氣氛,這樣既避免了爐內氧化氣氛對發熱體和保溫材料的氧化污染,又有效克服了熔體組分因為還原氣氛而揮發的問題,可以生長出作為InN-GaN基藍光襯底的大面積的鋁酸鋰和鎵酸鋰晶體。
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