一種橫向生長非晶硅納米線的制備方法,包括如下步驟;1)把襯底用氫氧化鈉溶液在刻蝕,然后依次用超純水、乙醇、丙酮、超純水分別超聲清洗;2)以襯底作為基底,采用射頻磁控濺射法在硅襯底上沉積鎳膜,作為硅納米線生長所需要的催化劑;3)將上述沉積有鎳膜的硅片放入帶凹槽的樣品靶臺上,采用直流噴射CVD法制備橫向生長非晶硅納米線;所制備的橫向生長非晶硅納米線的應用,用于超級電容器電極。本發明的優點是:該制備方法工藝簡單、過程清潔并且生產成本低,適宜于規?;a;能夠得到不同厚度、不同納米結構、不同取向分布的硅納米線,無論是應用于新能源方向還是納米電子器件方向都具有廣闊的應用前景。
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