本發明屬于新能源材料與器件領域,特別涉及一種半導體薄膜太陽電池的制備方法。提出一種以Cd2SnO4為透明導電層,n型CdS為窗口層,Zn2SnO4作為透明導電層和窗口層之間的緩沖層材料,p型CdS作吸收層的CdS同質結太陽電池結構,在此基礎上,采用干法工藝制備出同質結的CdS太陽電池。即在硼硅或鋁硅玻璃上射頻濺射透明導電層Cd2SnO4,隨后射頻濺射緩沖層Zn2SnO4,接下來,采用射頻濺射法制備n型CdS作為窗口層,然后采用物理氣相法室溫沉積摻銅CdS并后處理,獲得p型CdS作吸收層,或者物理氣相法直接在一定溫度下生長p型摻銅CdS作吸收層,最后沉積金屬電極,并接上引線。采用上述結構和工藝,可更好收集和利用太陽光,有效地對CdS進行p型摻雜處理,并消除晶格失配和界面態帶來的影響,從而獲得更高的光電轉換效率。
聲明:
“硫化鎘薄膜太陽電池及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)