本發明涉及半導體薄膜的制備中光伏新能源技術領域,特別涉及一 種高效薄膜太陽能電池光吸收層的制備方法,將Cu2S、S加入到聯氨溶 液中混合均勻得溶液A;將In2Se3和Se加入到聯氨溶液中或將In2S3和S 加入到聯氨溶液中制得溶液B;將Se或S加入到聯氨溶液中制得溶液C; 將Ga和Se加入到聯氨溶液中或將Ga和S加入到聯氨溶液中制得溶液D; 將上述制備而得的溶液A、B、C、D或A、B、C混合制成反應前驅體溶液; 然后將前驅體溶液采用物理法覆在導電襯底上制備CIGS薄膜。本發明同 現有技術相比,工藝簡單,可精確調控吸收層中各金屬原子比例,且能 保持14~18%的較高的光電轉化效率,免除硒化或硫化后處理工藝。
聲明:
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