本發明公開一種MoS2/MoSe2異質結薄膜的制備方法,涉及半導體薄膜制備技術和新能源開發的領域。所述制備方法,包括如下步驟:(1)反應前驅液的制備:在溶劑中加入還原性試劑,攪拌至溶解;溶解后,依次加入硫源、鉬源、硒源,攪拌至溶解,混合均勻后,得到反應前驅液;(2)基片襯底的前期表面處理:將基片襯底進行切割,切割后進行超聲清洗,再浸泡清洗,清洗完成后進行干燥處理;(3)溶劑熱反應:將步驟(2)中經過前期表面處理的基片襯底,與步驟(1)中得到的反應前驅液接觸,進行溶劑熱反應,得到沉積有MoS2/MoSe2異質結薄膜的基片;(4)將步驟(3)中得到的沉積有MoS2/MoSe2異質結薄膜的基片,進行清洗、真空干燥,得到所述MoS2/MoSe2異質結薄膜。
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