本發明涉及一種高純度、高產率制備WS2層片狀納米結構的方法,屬于材料制備技術領域。本發明采用真空加熱爐,以三氧化鎢粉和硫粉作為蒸發源,在真空環境中通過分離式加熱蒸發的方法,在載氣帶動下,高產率一步合成得到高純度、高密度的WS2層片狀納米結構。該方法具有設備和工藝簡單、材料合成與生長條件嚴格可控、產品收率高、成本低廉等優點。所獲得的WS2層片狀納米結構,厚度在50-250nm之間,直徑在20-40μm之間,產物純度高,納米結構直徑和厚度均勻,形貌可控,可望在固體潤滑劑、潤滑油添加劑、半導體器件以及新能源材料領域獲得廣泛應用。
聲明:
“高純度、高產率制備WS2層片狀納米結構的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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