基于石墨烯的遠紅外輻射發(fā)熱芯片

本實(shí)用新型涉及一種基于石墨烯的遠紅外輻射發(fā)熱芯片，所述遠紅外輻射發(fā)熱芯片具有多層結構，該多層結構包括：第一絕緣阻燃基材(1)和第二絕緣阻燃基材(5)、發(fā)熱層(2)、銅銀復合電極(3)以及熱熔復合材料層(4)。該遠紅外輻射發(fā)熱芯片的電?熱輻射轉換效率高、溫度均勻、功率基本零衰減、耐熱耐燃，解決了現有技術(shù)中功率衰減、使用壽命短、發(fā)熱膜不耐溫耐熱耐燃的問(wèn)題，杜絕了安全事故的發(fā)生。