本發明屬于功能復合材料制備技術領域,涉及一種嵌段高分子-納米金屬薄層復合導電材料的制備方法,通過設計嵌段高分子的鏈段組成、鏈段長度和總分子量結構參數,利用嵌段高分子包含的兩鏈段的極性差異和不相容性,進而發生相分離生成兩相納米結構的機理,對其所包覆的納米金屬形成均勻分散形貌結構具有誘導作用,進而生成均勻的導電連續網絡;將納米金屬銀與兩親性的嵌段高分子復合,納米金屬銀包埋于兩親性嵌段高分子的內部;將金屬做成納米級的形態,均勻的分散于兩親性的嵌段高分子中;其制備工藝簡單,原理安全可靠,制成的材料性能好,制備環境友好,應用范圍廣。
聲明:
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