本發明公開了一種高產率、大尺寸氮化硼納米片的制備方法。該方法基于增加層狀材料的層間距可顯著降低其層間作用力的原理,利用羥基基團與氫氣間劇烈的反應熱,實現六方氮化硼的低溫熱膨脹,隨后借助水結冰時的體積膨脹即可將膨脹氮化硼有效剝離成氮化硼納米片。所得氮化硼納米片的平均橫向尺寸可達1.62~1.78μm,產率可達39.3~43.7%,有效解決了現有方法制備的氮化硼納米片產率低、尺寸小的難題。本發明所制得的氮化硼納米片可廣泛應用于電子封裝材料、半導體器件、高溫導熱復合材料及高溫、氧化環境中工作的器件等方面。
聲明:
“高產率、大尺寸氮化硼納米片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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