本發明公開一種動態隨機存取存儲器和閃存存儲器的制作方法及其結構,該閃存存儲器包含一基底包含一主動區域和兩個電荷存儲結構分別位于主動區域的兩側,其中各個電荷存儲結構內包含一氧化硅層/氮化硅層/氧化硅層復合材料層,一埋入式柵極埋入于主動區域,其中埋入式柵極僅包含一控制柵極和一柵極介電層,柵極介電層為單一材料,兩個源極/漏極摻雜區分別位于埋入式柵極的兩側的主動區域內。
聲明:
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