本發明公開了一種自適應電磁脈沖屏蔽薄膜制備方法、所制得的薄膜及應用,涉及電磁屏蔽材料領域。步驟如下:取AgNWs加入乙醇、水和氨水得溶液E;將TEOS加入乙醇中并滴加入溶液E中,室溫反應20?30h得溶液F;將溶液F超聲離心,取沉淀,洗滌得AgNWs@SiO2;取PVA和水,攪拌,加熱至85?95℃,攪拌至PVA完全溶解得到溶液G;取AgNWs@SiO2加入到溶液G,溫度60?70℃,攪拌10?15h得到復合材料流體,進行流延成膜,待溶劑揮發后得到自適應電磁脈沖屏蔽薄膜;其中,AgNWs和TEOS的質量比為15?25:1;PVA聚合度為1700,醇解度為99%;PVA和AgNWs@SiO2的質量比為100:40?120。本方法工藝簡單,成本低,反應時間短,易于大量制備;制得的薄膜分布均勻,分散性較好,無團聚,可應用于自適應電磁脈沖防護領域。
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