一種背面檢測式有序結構銀納米冠陣列SERS芯片及其制備方法,屬于表面增強拉曼散射(SERS)技術領域。該SERS芯片為聚合物-金屬復合材料。用聚合物復制陽極氧化鋁模板(AAO)結構,獲得具有與AAO表面結構互補的聚合物冠狀陣列。在聚合物冠狀陣列表面再構筑一層具有SERS活性的貴金屬層,形成SERS芯片。由于這種制作工藝及選用的芯片材料,使芯片兩側具有不同的介質材料和表面粗糙度,我們通過實驗和理論模擬都證明了該芯片必須采用背面檢測的方式才能更有效的激發表面等離子體并發生耦合,得到更強的SERS信號。
聲明:
“背面檢測式表面增強拉曼散射芯片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)