本發明公開了一種PVT法生長AlN單晶用復合籽晶托的制備方法。復合籽晶托為TaC涂層/石墨為基體的耐高溫耐腐蝕復合材料,其制備方法為采用雙溫區CVR法在石墨片上沉積一層致密Ta,并原位碳化生成TaC涂層,即獲得TaC涂層/石墨復合籽晶托。采用本方法制備的TaC涂層/石墨復合籽晶托不僅可以長時間經受AlN單晶生長的高溫、Al蒸汽強侵蝕性等惡劣環境,克服了傳統CVD法制備TaC涂層高溫易剝離的現象,還可以預防石墨中碳氣氛滲透污染AlN體單晶。TaC涂層/石墨復合籽晶托具有耐高溫、耐腐蝕、表面平整易加工等優點,適合用于物理氣相傳輸法生長大尺寸高質量AlN單晶。
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