本發明公開了一種依巴斯汀分子印跡電化學傳感器的制備方法,以依巴斯汀為模板分子、白樺脂酮酸為功能單體、偶氮二異丁腈為引發劑、銅鋅層狀粉體復合材料為摻雜劑、以4?氧代?4?苯基丁腈為傳感膜改性劑,以當歸酰戈米辛H作為交聯劑,據此制備了高靈敏度、耐摔性的銅鋅層狀粉體復合材料摻雜的依巴斯汀分子印跡電化學傳感器,該分析方法簡單實用,克服了以往分析方法復雜、設備昂貴、靈敏度低的缺點。
聲明:
“依巴斯汀分子印跡電化學傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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