本發明涉及一種基于微孔骨架結構制備SiC/SiC?HfB2雙相鑲嵌抗氧化涂層及制備方法,用于解決現有方法制備的超高溫陶瓷HfB2相在涂層中分布不均勻和涂層富含低熔點游離硅的問題,以期提高碳/碳復合材料在高溫下的長壽命抗氧化性能。本發明的技術方案是先通過固滲反應燒結在C/C復合材料表面制備SiC內涂層,然后在SiC內涂層表面采用超音速等離子噴涂制備含有SiO2空心微球的SiC?HfB2涂層,再經高溫熱處理將SiO2空心微球揮發掉后生成微孔HfB2骨架層,最后經過低溫化學氣相滲透工藝將SiC填充于該微孔骨架層中,最終制備出了HfB2均勻分布、不含游離硅、致密的SiC?HfB2抗氧化涂層。
聲明:
“基于微孔骨架結構制備SiC/SiC-HfB2雙相鑲嵌抗氧化涂層及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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