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無壓浸滲法制備SiC/Al電子封裝材料的工藝

1163   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 17:11:18
本發明涉及一種無壓浸滲法制備SiC/Al電子封裝材料的工藝,按質量配比在6~9:0.5~2:0.5~2范圍內稱取粒徑分別為140-170μm、15-70μm、14-17μm的碳化硅顆粒,加入粘結劑、增塑劑、潤滑劑和溶劑混勻,壓制成型后預熱處理并燒結,然后在Al-Mg-Si合金熔體中浸滲。采用三種粒徑制備的三顆粒SiC/Al復合材料的熱物理性能和力學性能整體上比雙顆粒SiC/Al復合材料好,熱膨脹系數在(7.92-9.71)×10-6K-1之間變化、熱導率在(140-159)W/mK之間變化和抗彎強度300-337MPa之間變化。
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“無壓浸滲法制備SiC/Al電子封裝材料的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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