本發明提供了g?C3N4/二維卟啉MOF材料的制備方法和應用,得到了不同復合比例的g?C3N4/二維卟啉MOF材料,用于電催化還原二氧化碳研究。具體技術方案:在合成g?C3N4/二維卟啉MOF復合材料時,取不同量的g?C3N4進行合成,形成穩定的g?C3N4/二維卟啉MOF材料;g?C3N4/二維卟啉MOF材料半導體電催化劑,具有適當的禁帶寬度,有利于電子的躍遷轉移,有效促進了電子空穴的分離,又能抑制光生載流子的再復合,提高了光催化性能。本發明制備過程簡單,催化劑穩定性高,將g?C3N4納米材料與二維卟啉MOF材料合成g?C3N4/二維卟啉MOF復合材料??蓪O2電催化還原為可利用的清潔燃料CO和H2,為環境問題和能源短缺提供了解決方案,具有顯著的經濟效益和應用前景。
聲明:
“g-C3N4/二維卟啉MOF材料的制備及電催化性能” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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