本發明公開了一種場效應晶體管氣體傳感器及其陣列制備方法,該場效應晶體管(FET)氣體傳感器為量子點修飾柵電極的柵敏FET氣體傳感器,其柵敏電極層(5)為兩層復合結構或由復合材料構成的單層結構,其中,兩層復合結構包括金屬薄膜層和沉積在該金屬薄膜層表面上的量子點層;由復合材料構成的單層結構具體是由量子點與金屬或類金屬材料組合的復合材料構成的單層結構。本發明通過對柵敏FET其內部組成及結構、相應制備方法等進行改進,以量子點同時作為柵極和氣體敏感層,利用量子點柵敏電極對不同氣體的吸附特性來調控柵極偏壓以及溝道調制效應,能夠得到高靈敏、低功耗和高選擇性的室溫氣體傳感器,達到檢測低濃度目標氣體(如H2)的效果。
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