本發明公開了一種柱式絕緣子及其制作方法,涉及絕緣子技術領域,包括絕緣子基體以及依次覆蓋于所述絕緣子基體表面上的第一保護層和第二保護層,其中,形成所述第一保護層的原料包括:碳化硅、聚乙烯醇、水曲柳粘土/玻璃纖維復合材料、硅灰石、硅藻土/納米碳酸鈣復合材料;形成所述第二保護層的原料包括:改性環氧樹脂/蒙脫土復合材料、改性疏水二氧化硅、聚丙烯酸酯、硅丙乳液。本發明的有益效果是通過在絕緣子基體表面上形成第一保護層和第二保護層能夠提高絕緣子的耐腐蝕性能、耐磨性、耐候性能以及防污閃性能。
聲明:
“柱式絕緣子及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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