本發明公開了一種LED芯片及其制作方法與應用,該LED芯片包括底層,所述底層表面設有N型半導體層(3);所述N型半導體層(3)分為第一區域和第二區域;所述第一區域表面設有中間層;所述中間層表面設有P型透明導電層;所述P型透明導電層和第二區域表面設有頂層;其中,所述P型透明導電層由包括SnO2復合材料和Cu2O復合材料的一種;所述SnO2復合材料包括SnO2與In2O3;所述Cu2O復合材料包括Cu2O與NiO。本發明通過在外延片的表面沉積P型透明導電層,提高了P型透明導電層中“空穴”向外延片的注入效率,降低了LED芯片正向電壓,提升了LED芯片亮度。
聲明:
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