本發明公開了一種半導體基材構造及其加工方法,方法包括:在基材上加工一穿透孔溝槽;在該孔溝槽添加高分子復合材料;對該基材表面進行研磨或噴沙;對該基材表面進行表面被覆材料的處理。該半導體基材構造包含有基材,具有穿透孔及溝槽;其中該穿透孔及溝槽內填充有高分子材料及復合材料。本發明具有高平整度及切割不易生毛邊的優點,且不易變形,增加了產品封裝的良率及品質,而使用發光二極管的芯片或一般IC集成電路芯片封裝時,會易于達成電子芯片所需的封裝需求,而且比公知的基材構造成本低。
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