本發明涉及一種基于梯度疊層緩沖層薄膜的外延生長AlmGa1?mN的方法。具體地,本發明公開了一種復合材料以及所述復合材料的制備方法和應用。所述復合材料所包含的外延薄膜的位錯密度、薄膜裂紋密度和薄膜表面粗糙度得到綜合改善,因此可獲得晶體質量、薄膜完整性和表面形貌平衡提升的復合材料,同時,基于這種復合材料可以大大縮短外延芯片的生長時間,全面提升包含所述復合材料的光電器件或功率器件的性能和產率。所述方法具有工藝簡單、成本低、產品良率高等特點。
聲明:
“基于梯度疊層緩沖層薄膜的外延生長AlmGa1?mN的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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