本發明涉及一種提高碳/碳復合材料與鋰鋁硅玻璃陶瓷連接性能的方法,以聚合物高溫裂解法原位生長SiC納米線,工藝簡單、生成產量可控,可使MAS中間層在熱壓燒結過程中充分滲入納米線多孔層以形成致密的納米復合界面層,利用原位生長納米線的增韌增強作用解決了SiC與MAS弱結合的問題,從而可顯著提高C/C?LAS接頭的連接性能,在本發明指導下,接頭的平均剪切強度由背景技術中的24.9MPa提高到38.2Pa。本發明通過聚合物高溫裂解的方法在SiC涂層表面原位生長SiC納米線,該方法工藝穩定,并且可實現對納米線產量的控制,使熔融玻璃在連接溫度下向納米線多孔層充分滲入,形成致密的連接界面,從而提高接頭的連接性能。
聲明:
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