本發明涉及一種包覆硅的碳顆粒復合材料、制備方法和設備及用途,本發明使用低溫等離子體反應分解制備納米硅,能夠在常溫條件下化學氣相沉積制備產品,得到包覆非晶硅層的碳顆粒;進一步地通過反應氣流量、反應功率的調節,能夠有效的調控納米硅顆粒尺寸,可在5~1000nm范圍內自由控制;通過將化學氣相沉積室設計成旋轉方式,能夠有效的提高納米硅與基底復合的均勻性;進一步地,通過對化學氣相沉積速率、旋轉速率等條件的控制能夠得到厚度可控的硅層。
聲明:
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