本發明提供了一種核殼納米SiO2@ZrO2粒子?聚丙烯/馬來酸酐接枝聚丙烯復合材料及制備方法。將納米SiO2@ZrO2在50%?50%純聚丙烯/馬來酸酐接枝聚丙烯中利用熔融共混法進行不同濃度的摻雜,其中聚丙烯為等規聚丙烯;馬來酸酐接枝聚丙烯的接枝率為1%;氧化硅殼層厚度分別為3nm、7nm、11nm,且表面經過KH570硅烷耦合處理。本發明獲得的納米復合介質的介電常數和擊穿場強同時得到顯著提高,當本發明的納米SiO2@ZrO2取殼層厚度為11nm、摻雜濃度為1wt%時,儲能密度相比純PP提升52%,且介電損耗與純聚丙烯相比保持不變。該技術為薄膜電容器儲能密度的提升提供了技術基礎。
聲明:
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