本實用新型公開了一種氮化硅基復合材料,包括氮化硅基陶瓷介質板和銅箔,所述銅箔位于氮化硅基陶瓷介質板外表面上,本實用新型通過Si3N4陶瓷片的表面預處理技術實現Si3N4陶瓷介質板與銅箔界面特性的優化,獲得具有優良力/熱/電綜合性能的Si3N4陶瓷DBC基板,其兼具有高強度與高熱導率的特性,具有良好的介電性能,能夠有效減少信號傳輸的功率損耗,線性膨脹系數與硅接近,作為電子封裝材料能夠有效保證封裝的可靠性等優點。
聲明:
“氮化硅基復合材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)