本發明屬于電子封裝材料領域,主要應用于微電子和半導體行業的金屬封裝行業,特別是涉及一種采用軋制工藝制備銅/鉬/銅電子封裝復合材料的方法。該方法包括表面處理、包覆、熱軋、退火、冷軋、后續處理六個步驟。本發明與現有技術相比具有制備工藝簡單、易控制、適于規?;a的優點,其成品具有高導熱、尺寸適應性和一致性好、成品率高、沖壓性能良好,同時具有與半導體材料相匹配的熱膨脹系數和導熱率的優點。
聲明:
“銅/鉬/銅電子封裝復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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