本發明涉及一種基于SISB復合材料的相變存儲器單元。SISB是一種復合材料,它既具備半導體特性,又具有相變特性,在電信號作用下材料具備在高、低電阻間的可逆轉換能力。當SISB中的硅含量較高(SI含量大于百分之五十原子比)時,SISB材料為一種N型半導體;而當SISB中的硅含量較低(SI含量小于百分之三十原子比)時,SISB材料為一種相變材料,以作為相變存儲器單元的存儲介質。本發明采用N型的SISB半導體與P型硅形成二極管結構,并采用較低硅含量的SISB相變材料作為存儲介質,形成1D1R結構(一個二極管和一個電阻),從而實現數據的存儲功能。
聲明:
“基于SISB復合材料的相變存儲器單元” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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