本發明公開了一種Cu2O/1T MoS2復合材料及其制備方法與應用,屬于光學材料制備技術領域,該復合材料以MoS2(1T MoS2)納米片為襯底原位生長具有p型半導體性質的Cu2O材料(Cu2O/1T MoS2)并應用于甲基橙的光降解。該復合材料通過獲得金屬相MoS2,金屬相MoS2具有非常好的導電性,有助于半導體材料Cu2O所產生的電子空穴對的快速轉移,從而降低電子空穴對的再次復合,大大提高了Cu2O的光學性質。并成功應用于甲基橙的光降解,很大程度上提高了Cu2O對的光降解性能。
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