本發明公開了一種制備SiC納米線增強反應燒結碳化硅陶瓷基復合材料的方法。該方法以酚醛樹脂為反應體系的單一碳源,同時采用酚醛樹脂為包覆碳源,對SiC納米線進行表面改性,形成碳包覆SiC納米線,它均勻分散在SiC陶瓷預制體之中,然后通過反應燒結制備成碳化硅納米纖維增強SiC陶瓷基復合材料。本發明采用SiC納米線作為增強體通過反應燒結原理制備陶瓷基復合材料,有效的改善了納米纖維與基體的結合界面,實現有效增加增韌;避免了已報道反應燒結導致碳化硅晶須/納米線參與反應或長大問題;避免了原位生長納米線的生長不均勻和與基體界面結合效果不好,不致密問題。
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