本發明公開了一種電子封裝用定向多孔SiC-Cu復合材料及制備方法,該復合材料按體積分數計,由55~70%的SiC增強相和30~45%的Cu基質相組成,基質相和增強相是相互連續的;其制備方法采用真空溶膠-凝膠浸漬工藝結合氫氣還原法在定向多孔SiC陶瓷內表面涂覆均勻連續的金屬鎢層,解決了SiC與Cu之間的潤濕性問題,不僅使自發熔滲易于進行,而且能充分發揮Cu的高導熱優勢,明顯改善復合材料的熱物理性能。本發明工藝簡單、成本低、能制備各種復雜形狀的復合材料。
聲明:
“電子封裝用定向多孔SiC-Cu復合材料及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)