本發明公開了一種核殼結構粉體及其聚合物基介電復合材料的制備方法,屬于復合材料技術領域。本發明將碳化硅熱氧化處理生成包覆二氧化硅殼層的SiC@SiO2核殼結構粉體,將其加入到PVDF樹脂稀釋液中,加熱,蒸干溶劑,得到SiC@SiO2核殼結構粉體的聚合物基介電復合材料,所述復合材料具有較低的介電損耗,有效地避免了半導體功能相因相互接觸而形成漏導,具有較高的介電常數和較高力學強度和韌性。所述制備方法造價低廉、操作簡單。
聲明:
“核殼結構粉體及其聚合物基介電復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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