本發明公開了一種SiC納米線增強Cf/SiC陶瓷基復合材料,由碳纖維編織體、熱解碳界面層、原位生長SiC納米線和SiC基體組成,其特征在于所述的熱解碳界面層包覆在碳纖維表面,厚度為0.1~0.2μm;所述的熱解碳界面層也包覆在SiC納米線表面,厚度為0.02~0.04μm;所述的SiC納米線直徑為20~150nm,納米線數量比為20~50%的SiC納米線兩端粘結在碳纖維的熱解碳表面上,數量比為10~30%的SiC納米線一端粘結在碳纖維的熱解碳表面上;SiC基體填充在碳纖維和SiC納米線之間的空隙中;所述的復合材料體積密度大于1.8g/cm3,開口孔隙率小于10%。
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