權利要求
1.低膨脹硅基復合材料，其特征在于，所述低膨脹硅基復合材料包括：多孔陶瓷和氧化亞硅; 其中, 氧化亞硅的化學式為SiO x，0＜x＜1.6； 所述低膨脹硅基復合材料以所述多孔陶瓷作為骨架，所述氧化亞硅分布在所述多孔陶瓷的孔隙內； 所述低膨脹硅基復合材料的振實密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間； 所述多孔陶瓷包括：多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種； 所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間； 所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-20μm之間； 所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間。2.根據權利要求1所述的低膨脹硅基復合材料，其特征在于，所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復合材料總質量的百分比為50%-90%； 所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復合材料總質量的百分比為10%-50%。 3.根據權利要求1所述的低膨脹硅基復合材料，其特征在于，所述低膨脹硅基復合材料還包括碳包覆層；所述碳包覆層的質量占所述低膨脹硅基復合材料總質量的百分比為0-20%。 4.上述權利要求1-3任一所述的低膨脹硅基復合材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 將多孔陶瓷和氧化亞硅進行復合，得到低膨脹硅基復合材料； 其中，所述復合的方法包括：液相法或固相法； 所述多孔陶瓷包括：多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種；所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間；所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm- 20μm之間；所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間； 所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復合材料總質量的百分比為50%-90%； 所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復合材料總質量的百分比為10%-50%。 5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述液相法包括：將所述氧化亞硅均勻分散于有機溶劑中，得到預混溶液； 將所述多孔陶瓷加入到所述預混溶液中，繼續均勻分散，得到混合溶液； 將所述混合溶液置于高溫爐內，升溫至700℃-1000℃，保溫2小時-5小時，出料后進行粉碎和篩分，得到所述
聲明：
“低膨脹硅基復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：溧陽天目先導電池材料科技有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
