本發明公開了一種化學氣相沉積碳與氣相滲硅工藝聯合制備SiCf/SiC復合材料的方法,包 括以下步驟:以SiC纖維為原料,采用三維編織技術制備SiC纖維編織件;以三氯甲基硅烷為 沉積原料,對SiC纖維編織件進行第一次化學氣相沉積,沉積的SiC涂層厚度為0.1~70μm; 再以甲烷或丙烯氣體為原料,通過第二次化學氣相沉積對SiC纖維編織件沉積碳,得到SiCf/C 中間體;最后以單質硅為原料,采用氣相滲硅工藝對所述的SiCf/C中間體進行滲硅得到 SiCf/SiC復合材料。本發明具有制備周期短、成本低等優點,能夠制備得到高致密性、高力 學性能和熱導性能的SiCf/SiC復合材料。
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