本發明屬于陶瓷基復合材料制備技術領域,具體涉及一種降低熔滲工藝制備SiCf/SiC復合材料中殘余硅含量的方法。該方法利用碳化硅纖維作為纖維增強體,與含Ti粉或TiC粉的料漿制備成預浸料后,通過熱壓成型、炭化、熔滲制備出碳化硅纖維增強碳化硅復合材料。由于Ti或TiC的引入,可以與基體內的殘余硅發生反應生成TiSi2。該方法不僅可以克服熔滲工藝制備陶瓷基復合材料基體內殘余硅的缺點,同時可以在確保復合材料原有力學性能不受影響的基礎上,提升其高溫穩定性。
聲明:
“降低熔滲工藝制備SiCf/SiC復合材料中殘余硅含量的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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