本發明公開了一種低填料含量場敏感型非線性導電復合材料薄膜及其制備方法,本發明以具有高長徑比的SiC納米線為填料,二胺和二酐為單體,制備SiC納米線/聚酰亞胺復合材料薄膜,且SiC納米線在復合材料中的體積分數僅為1%?3%。本方法工藝簡單,適合大量制備,所制得的低填充比復合材料薄膜具有良好的非線性電導特性,電導率可以自發隨電場強度變化而調控,同時對聚酰亞胺基體的力學性能沒有劣化影響,可作為深層介質充電防護材料用于航天器等領域。
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