本發明涉及一種雙連續相SiC/Cu復合材料的方法,屬于無壓浸滲技術領域。本發明的雙連續相SiC/Cu復合材料的方法,包括以下步驟:將SiC多孔陶瓷和銅基金屬作為預浸滲體;然后采用碳化硅砂對預浸滲體進行填埋使預浸滲體的底部和周圍分布碳化硅砂,在無氧環境下升溫進行無壓浸滲,無壓浸滲完成后,降溫即得雙連續相SiC/Cu復合材料。本發明的方法工藝簡單,易于實現,且操作過程簡單,以碳化硅砂作為模具材料,有助于通過高溫無氧條件下無壓浸滲提高銅基復合材料力學性能時,避免氧化物砂在高溫無氧環境下發生脫氧反應,導致模具坍塌失效;同時還可以減少模具材料跟預浸滲體中SiC多孔陶瓷發生反應。
聲明:
“雙連續相SiC/Cu復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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