本發明涉及一種SiCw定向高強韌陶瓷基復合材料及其制備方法,將預制體在高溫爐中進行界面層與基體制備,使預制體的相對密度達到25%~65%;利用超短脈沖激光制備陶瓷基復合材料定向孔;利用球磨制備SiCw漿料,結合真空浸漬法封填定向孔,反復浸漬,直至形成SiCw定向柱且不透光;利用CVI法進一步致密預制體,最終獲得SiCw定向高強韌陶瓷基復合材料。該工藝的優點:(1)典型的SiCw定向封填柱結構極大地提高了復合材料的層間結合強度和整體強度;(2)SiCw層間結構包裹纖維絲與纖維束,可有效阻礙裂紋擴展,提高復合材料韌性;(3)定向封填柱具有設計性,可根據不同需求設計尺寸、間距及分布,操作簡單。
聲明:
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