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聚吡咯包覆Ni-Co-S納米針陣列復合材料及其制備方法和應用

711   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 15:21:02
本發明公開了聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復合材料,以乙酸鎳、乙酸鈷、尿素、硫脲為原料,制備NF/NiCo2S4納米針陣列材料,再以聚吡咯為導電聚合物,通過黏結劑和固化劑,制得聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復合材料,其中,納米針狀結構具有殼?核結構,核結構為NiCo2S4,殼結構為聚吡咯。其制備方法包括以下步驟:1)NF/NiCo2O4納米針陣列材料的制備;2)NF/NiCo2S4納米針陣列材料的制備;3)聚吡咯包覆Ni?Co?S納米針陣列復合材料的制備。作為超級電容器電極材料的應用,窗口電壓為0?0.5V,在放電電流密度為1A/g時,比電容為1800?1900F/g。泡沫鎳載體表面生長的納米針陣列結構規整有序,比表面積大,利于電子的傳輸;采用直接滴覆的方法實現導電聚合物的包覆,有效提高電化學性能。
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